Átomo aceptorÁtomo aceptor
En una red cristalina de silicio, si introducimos impurezas de modo controlado de elementos trivalentes como el galio o indio, existirá un enlace deficitario en electrones que a muy bajas temperaturas es completado por electrones procedentes de otros enlaces, los cuales dejarán un "hueco". Dicho hueco es móvil y se comporta como una partícula real cargada positivamente. Como consecuencia, el átomo de impureza se ioniza con carga negativa (tiene un electrón de más), constituyendo una carga fija en la red.
Un semiconductor dopado de esta manera se dice que es un semiconductor tipo p, por tener portadores positivos(huecos) como mayoritarios.
Ver también átomo donador.
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