Los científicos han creado un nuevo tipo de memoria que acelerará considerablemente la inteligencia artificial
Un equipo de investigación dirigido por la Universidad de Cambridge ha desarrollado un nuevo diseño de memoria informática que mejorará notablemente el rendimiento y reducirá el consumo de energía de Internet y las tecnologías de la comunicación.
Lo que sabemos
Según la universidad, la inteligencia artificial, Internet y otras tecnologías basadas en datos requerirán más del 30% del consumo mundial de electricidad en la próxima década. Mover la información entre los dispositivos de almacenamiento y procesamiento requiere mucha energía y tiempo, dice el estudio.
Los científicos han estado experimentando con un nuevo tipo de tecnología conocida como memoria de conmutación resistiva. A diferencia de los dispositivos existentes, que codifican los datos en dos estados (uno o cero), el desarrollo de los científicos permite una gama continua de estados.
Esto se consiguió aplicando una corriente eléctrica a determinados materiales, lo que provoca un aumento o disminución de la resistencia eléctrica. Los distintos cambios en la resistencia eléctrica crean diferentes estados posibles para el almacenamiento de datos.
"Una memoria USB típica basada en banda continua podría almacenar, por ejemplo, entre diez y cien veces más información ", explica el autor principal, Markus Hellenbrand.
El equipo ha desarrollado un prototipo de dispositivo basado en óxido de hafnio. Hasta ahora, resultaba difícil utilizarlo en memorias de conmutación resistiva debido a la falta de estructura del material a nivel atómico. Sin embargo, los científicos encontraron una solución: añadieron bario a la mezcla.
Esto permitió crear "puentes" de bario altamente estructurados entre películas gruesas de óxido de hafnio. En el punto donde estos puentes se cruzan con los contactos de los dispositivos, se crea una barrera de energía que permite a los electrones atravesarla.
La barrera de energía puede elevarse o reducirse. Esto cambia la resistencia del compuesto de óxido de hafnio y permite que el material exista en varios estados.
Según los científicos, el resultado final fue similar al funcionamiento de una sinapsis en el cerebro, que puede almacenar y procesar información en el mismo lugar. Los investigadores creen que esto podría conducir a la creación de dispositivos de memoria informática con una densidad y un rendimiento mucho mayores, pero con un menor consumo de energía.
Cambridge Enterprise, la rama comercial de la universidad, ha solicitado la patente. Los científicos trabajan ahora con la industria para llevar a cabo investigaciones a mayor escala. Sostienen que integrar el óxido de hafnio en los procesos de fabricación existentes no será difícil, pues el material ya se utiliza en la fabricación de semiconductores.
Fuente: The Next Web.
